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用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器，并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管。器件在零偏电压处的背景光电流为87．3pA。从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度φB0和串联电阻Rs分别为1．99、0.788eV和10．2kΩ。器件在305nm波长处有陡峭的截止边，300nm峰值波长处电流响应率为0．034A／W。