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使用TSUPREM－4二维集成电路工艺仿真系统对P－MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真。以数值方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为，提出了调节氧化步序和氧化模式来抑制杂质分凝效应的方法。
MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真
【摘 要】
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使用TSUPREM－4二维集成电路工艺仿真系统对P－MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真。以数值方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为，提出了调节氧化步序和氧化模式来
【机 构】
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山东大学信息科学与工程学院
【出 处】
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山东大学学报(工学版)
【发表日期】
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2002年5期
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