【摘 要】
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本文采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法沉积出不同掺杂浓度的硅薄膜。利用原子力显微镜（AFM）,IR和Raman散射等手段对硅薄膜的微结构进行了研究。通过测试薄膜的暗电导和激
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本文采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法沉积出不同掺杂浓度的硅薄膜。利用原子力显微镜（AFM）,IR和Raman散射等手段对硅薄膜的微结构进行了研究。通过测试薄膜的暗电导和激活能,对硅薄膜的电学特性进行了分析。为提高隧道结的复合速率,在隧道结的N层、P层之间插入不同掺杂浓度的硅薄膜做复合层,并测试了隧道结的电流-电压特性和透光性。实验结果表明：随着掺杂气体比例R（B2H6/SiH4）的增加,硅薄膜逐渐由微晶硅转变为非晶硅,薄膜的微结构和电学特性随之改变。隧道结复合层的最佳掺杂气体比例R=0.04
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