工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为，台积电芯片制程5年内将称霸晶圆代工业，3D封装是新挑战。
　　英特尔（Intel）7nm芯片制程进度延迟，并可能释出委外代工订单;同时，手机芯片厂高通（Qualcomm）也传出5nm处理器可能自三星（Samsung）转由台积电代工生产，让台积电制程领先地位成为市场近期关注焦点。
　　台积电继7nm芯片制程于2018年领先量产，并在强效版7nm芯片制程抢先导入极紫外光（EUV）微影技术，5nm芯片制程在今年持续领先量产，下半年将强劲成长，贡献全年约8%业绩。
　　台积电3nm制程技术开发顺利，将沿用鳍式场效电晶体（FinFET）技术，预计2022年下半年量产，3nm制程届时仍将是半导体业界最先进的技术。
　　为确保制程技术持续领先，台积电2019年已领先半导体产业研发2nm芯片制程技术，台积电目前尚未宣布量产时间，不过按照台积电每2年推进一个世代制程技术推算，2nm芯片有望于2024年量产。
　　杨瑞临分析，盡管台积电2nm芯片制程将过去的FinFET技术，改为环绕闸极（GAA）技术，台积电2nm芯片制程仍有望维持领先地位。
　　只是制程微缩技术即将面临物理瓶颈，且价格成本越来越高，杨瑞临表示，3D堆叠先进封装技术将更趋重要，相关设备与材料问题都有待解决，这也是台积电的新挑战。
　　杨瑞临表示，台积电在先进封装领域着墨多时，自2016年推出InFO封装技术后，至2019年已发展至第5代整合型扇出层叠封装技术（InFO-PoP）及第2代整合型扇出暨基板封装技术（InFO-oS），并开发第5代CoWoS。
　　此外，台积电开发系统整合晶片SoIC，以铜到铜结合结构，搭配矽导孔（TSV）实现3D IC技术，将提供延续摩尔定律的机会。
　　杨瑞临认为，台积电在先进封装领域仍将领先对手三星。先进封装将是台积电筑起更高的技术与成本门槛，也是拉大与竞争对手差距的关键。