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针对Si衬底不透明而无法采用透射谱测量GaN薄膜厚度问题,应用反射谱测量,同时结合晶体薄膜的干涉效应原理,并考虑到晶体折射率随光子能量变化的因素,从理论上推导出了实用的薄膜厚度计算方法,从而得到实现材料特性的方便表征和MOCVD设备的在线薄膜厚度测量的新途径.
基于反射谱的GaN薄膜厚度在线测量系统
【摘 要】
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针对Si衬底不透明而无法采用透射谱测量GaN薄膜厚度问题,应用反射谱测量,同时结合晶体薄膜的干涉效应原理,并考虑到晶体折射率随光子能量变化的因素,从理论上推导出了实用的
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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电子质量
【发表日期】
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2004年12期
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