【摘 要】
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本文采用高频感应氧等离子体阳极氧化的方法在硅表面上生长一层SiO_2膜,并用IR-450S型红外分光光度计测量了室温下氧等离子体阳极氧化SiO_2膜的红外吸收光谱。实验表明,在2.5
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本文采用高频感应氧等离子体阳极氧化的方法在硅表面上生长一层SiO_2膜,并用IR-450S型红外分光光度计测量了室温下氧等离子体阳极氧化SiO_2膜的红外吸收光谱。实验表明,在2.5～50μm波段内,该薄膜靠近9.26μm、12.42μm和21.98μm处各有一个红外吸收带。
In this paper, a layer of SiO_2 film was grown on silicon surface by high frequency induction oxygen plasma anodic oxidation method. The infrared absorption spectrum of oxygen plasma anodic SiO 2 film at room temperature was measured by IR-450S infrared spectrophotometer. Experiments show that in the wavelength range of 2.5 ~ 50μm, the film has an infrared absorption band near 9.26μm, 12.42μm and 21.98μm respectively.
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