InP—HEMT中复合沟道的设计与生长

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shermanx

【摘要】

：

设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率.在使用InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟道输运性能

【作者】

：

邱凯张晓娟陈建炉

【机构】

：

南京电子器件研究所

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

InP-HEMT 高电子迁移率晶体管复合沟道磷化铟基 HEMT composite channel InP-based

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设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率.在使用InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟道输运性能:在使用InAs复合沟道时,得到了二维电子气浓度为2.3×1012/cm2、室温迁移率高达13600 cm2/V@s的性能优良的HEMT材料.

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