通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性

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使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品, 由于存在大量的施主缺陷, 呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应, 在生长过程中, 通过周期性补充氧气, 形成周期性的富氧气氛, 缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明, 通过交替生长气氛, 氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导, 载流子浓度可达到1016 cm-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。
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