【摘 要】
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为了制备ZnO释能电阻并研究Al掺杂浓度对ZnO释能电阻材料的影响,通过改进的制陶工艺制备了不同Al掺杂浓度的ZnO导电陶瓷.实验结果表明,Al掺杂浓度对ZnO释能电阻的导电性、能
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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中央高校基本科研业务费，中国高等学校博士学科点科研基金
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为了制备ZnO释能电阻并研究Al掺杂浓度对ZnO释能电阻材料的影响,通过改进的制陶工艺制备了不同Al掺杂浓度的ZnO导电陶瓷.实验结果表明,Al掺杂浓度对ZnO释能电阻的导电性、能量密度和线性度均有较大的影响.Al的掺杂能较好地改善ZnO释能电阻的线性度,非线性系数可低至1.02; Al掺杂能很好地控制ZnO的电阻率,使其达到0.54 Ω·cm;Al掺杂还能较好地改善ZnO陶瓷的均匀性和密度,从而提高ZnO释能电阻的能量吸收密度,能量吸收密度高达720 J/cm3,较金属释能材料高出2～3倍.
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