Defect Structure of MOCVD Grown Epitaxial (0001) GaN/Al_2O_3

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：panshuangchun

【摘要】

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ＤｅｆｅｃｔＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＭＯＣＶＤＧｒｏｗｎＥｐｉｔａｘｉａｌ（０００１）ＧａＮ／Ａｌ２Ｏ３Ｘ．Ｈ．ＷｕＬ．Ｍ．ＢｒｏｗｎＤ．ＫａｐｏｌｎｅｄＳ．ＫｅｌｅＳ．Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓＪ．Ｓ．Ｓｐｅｃｋ（ＭａｔｅｒｉａｌｓＤｅｐａｒｔｍｅｎｔ，... Defect Structure of MOCVDGrown Epitaxial (0001) GaN / Al2O3X. H. WuL. M. BrownD. KapolnedS. KeleS. P. DenBaarsJ. S. Speck (M

【出处】

：

电子显微学报

【发表日期】

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1997年04期

【关键词】

：

MOCVD

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