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用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上生长了一组Zn1-xMgxO(x=0~0.16)薄膜。并在不同温度下退火。对薄膜的光致发光研究表明,在薄膜的发射谱的紫外区域有分别对应自由激子(以及相应的声子伴线)和电子-空穴等离子体的发光机制,其中后者有5倍超线性的受激发射,其受激发射闾值与薄膜的退火温度相关,样品中最低受激阅值为40kW/cm^2。