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使用ＳＴＥＭ，ＳＥＭ观察了磷化镓晶片在切割，研磨等工艺过程中引入的损伤。切片损伤层深度约３０．３μｍ，磨片损伤层深度小于２０μｍ。还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑，认为这是单晶生长时，磷挥发造成的。
LEC〈111〉磷化镓晶片缺陷的观察
【摘 要】
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使用ＳＴＥＭ，ＳＥＭ观察了磷化镓晶片在切割，研磨等工艺过程中引入的损伤。切片损伤层深度约３０．３μｍ，磨片损伤层深度小于２０μｍ。还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑，认为这是单晶生长时，磷挥发造
【机 构】
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北京有色金属研究总院
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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1999年5期
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