【摘 要】
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介绍电力半导体器件在大容量、高性能方面的现状和展望。实现器件大容量、高耐压的主要技术是:采用大直径的高纯硅单晶;在工艺技术上采用离子注入法,保证硅片内质杂浓度均匀
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介绍电力半导体器件在大容量、高性能方面的现状和展望。实现器件大容量、高耐压的主要技术是:采用大直径的高纯硅单晶;在工艺技术上采用离子注入法,保证硅片内质杂浓度均匀分布;载流子寿命的控制采用电子幅照方法,近年来提出了采用高能质子或氦离子幅照;在结构上采用压接式结构。目前已研制出12 kV、1.5kA的晶闸管,8kV、4kA的光控晶闸管,6 kV、6 kA的GTO,平板型压接结构的2 500V、100 A IGBT和 n型沟道的4 500 VIGBT,IPM(智能功能模块)也将会有很快发展。
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