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研究Ta2O6对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现"U"字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主Ta2O6的含量有助于材料晶粒的半导化.