【摘 要】
：
一九三六年李健吾在给何其芳即将收获《大公报》文艺奖的散文集《画梦录》的评论中,有这样一番说法:rn和废名先生一样,他说“有时我厌弃自己的精致”.让我们重复一遍,他厌弃自己的精致.精致到了浓得化不开,到了颜色抹得分不清颜色,这不复是精致,而是偏斜.(刘西渭:《读“画梦录”》)rn唯美、敏感、精致、象征主义是当时和现在人们对何其芳文学特点的基本判断.李健吾的话是对这些特点再判断.判断的结果是什么呢? 是“偏斜”.李健吾用“偏斜”来说《画梦录》的精致,是讲艺术,也是讲艺术的人格问题,所以在整篇评论文章的最后,他
论文部分内容阅读
一九三六年李健吾在给何其芳即将收获《大公报》文艺奖的散文集《画梦录》的评论中,有这样一番说法:rn和废名先生一样,他说“有时我厌弃自己的精致”.让我们重复一遍,他厌弃自己的精致.精致到了浓得化不开,到了颜色抹得分不清颜色,这不复是精致,而是偏斜.(刘西渭:《读“画梦录”》)rn唯美、敏感、精致、象征主义是当时和现在人们对何其芳文学特点的基本判断.李健吾的话是对这些特点再判断.判断的结果是什么呢? 是“偏斜”.李健吾用“偏斜”来说《画梦录》的精致,是讲艺术,也是讲艺术的人格问题,所以在整篇评论文章的最后,他期望这位“文章能手”能“扩展他的宇宙”.
其他文献
选取低分子量级分有较大差异的2种左旋聚乳酸(PLLA),比较了采用熔体拉伸工艺制备的聚乳酸流延膜的结构与性能的差异.实验结果显示,较少低分子量级分的存在有利于熔体拉伸场下聚乳酸分子链的解缠结,在低熔体拉伸比下更易形成类取向纤维结构,带来聚乳酸流延膜常温韧性和结晶性能的改善;解缠结后,在高熔体拉伸比下,形成的类Shish-kebab结构明显,带来流延膜高的断裂应力.通过对原料中低分子量级分及熔体拉伸流动场的调控可以实现聚乳酸流延膜的高强高韧.
高分子材料在超临界流体中的溶胀及相平衡机制,是研究超临界发泡以及材料改性等问题的基础.以超临界二氧化碳为溶剂,采用可视窗反应釜研究丁苯橡胶的溶胀过程.通过析因设计方法,分析溶胀度、溶胀速率和二氧化碳在丁苯橡胶中的扩散系数,以及膨胀后丁苯橡胶的收缩过程.研究发现,二因子交互模型拟合较好,溶胀速率符合一阶动力学模型.温度和压力对3个目标函数均影响显著,时间对溶胀度影响显著,交联密度对目标函数无显著影响.在50～120℃,8～20 MPa的研究范围内,二氧化碳在丁苯橡胶中的扩散系数为(0.995～3.06)×1
未来体验博物馆( MoFE )位于纽约布鲁克林大街一百四十八号,这个地方看着很不起眼,门上贴着一个小标志.这里提供虚拟现实和空间化3D音景沉浸式体验.MoFE的目标是“向来宾们展示他们从未见过的事物”.
十分钟前,阿蒋过世了.rn没有哭声,二十多个男女围住病床,站着的和躺着的,都一动不动.某个男人的手,把阿蒋的眼睑彻底合上了.女儿刚想除掉阿蒋鼻端的氧气管,被阿蒋太太一把扯出了前排.阿蒋被大家静静地看着,他脸上那点蛮蛮的态度还在.
树洞:rn我的清晨四点,看到微信提示,是《收获》退休主编肖元敏送我作协消息,二〇二二年一月二十一号,张洁在美国因病去世.rn我打字问:年纪?rn我又读一遍那条消息,没有写逝者年纪,细心地为女性逝者藏岁数? 报哀保持悦目?
智能窗可以通过临界温度处的可逆物理相变实现智能响应完成对太阳光透过率的调节,从而达到减少能耗的目的.文中设计了一种可用于智能窗的Si-Al/PNIPAm-AEMA(SAPA)复合水凝胶,其由硅铝胶基质和改性聚N-异丙基丙烯酰胺填料组成.硅铝胶基质提供优异的保水性和耐久性,且具备合适的流变性能,使复合水凝胶能根据需要进行3D打印图案化;采用2-氨基乙基甲基丙烯酸酯盐酸盐共聚改性的聚N-异丙基丙烯酰胺微凝胶颗粒PNIPAm-AEMA粒径较大,加强了响应后近红外区域的光屏蔽作用,能提高复合水凝胶的太阳光调节效率
由于武器装备、信息安全等领域对自毁器件的重大需求,对外界环境能产生响应的自毁型聚合物受到了人们的重点关注.所谓自毁聚合物(SIPs)是指在特定外界环境刺激下,聚合物产生程序化的解聚反应,以熔化、液化、蒸发等方式使其自毁并消失.聚乙醛酸乙酯是近年来可自毁聚合物的研究热点之一,其具有多刺激响应、固态下快速解聚、降解产物无毒害等显著优势,在智能封装、传感器、药物控释等领域具有明确的应用前景.文中系统综述了聚乙醛酸乙酯的自毁机理、合成方法、改性策略及应用发展等内容,对聚乙醛酸乙酯的国内外研究现状进行了梳理,并对这
分别以钛酸钡(BT)和多壁碳纳米管(MWCNT)作为硅橡胶(SR)的填料,采用多次涂覆法,设计并制备了BT/SR和MWCNT/SR交替多层结构的复合介电弹性体B/SR-M/SR,研究了B/SR-M/SR复合材料的电机转换性能及交替多层结构对其性能的影响.结果表明,B/SR-M/SR复合材料的杨氏模量略高于纯SR,且表现出高介电常数、低介电损耗的特点.在1 kHz下,B/SR-M/SR的介电常数最大为5.6,为纯SR(3.2)的1.77倍,而相应的介电损耗为0.003,与纯SR(0.001)接近.MWCNT