【摘 要】
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研究了SiC颗粒在927oC、1027oC和1127oC空气中的高温氧化动力学. 结果表明, 温度越高SiC颗粒的氧化速率常数越大, 氧化反应越容易进行;SiC颗粒的高温氧化分为氧化前期和氧化
【机 构】
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沈阳理工大学材料科学与工程学院,沈阳仪表科学研究院
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研究了SiC颗粒在927oC、1027oC和1127oC空气中的高温氧化动力学. 结果表明, 温度越高SiC颗粒的氧化速率常数越大, 氧化反应越容易进行;SiC颗粒的高温氧化分为氧化前期和氧化后期两个阶段. 氧化前期的反应速率受界面化学反应的控制; 氧化后期受扩散控制, 其表观活化能远比氧化前期的大. SiC颗粒的高温氧化过程符合两个阶段式模型： 氧化前期的氧化速率常数kc=143.37exp（-70994}/（RT））（mg m-2 min^-1）, 氧化后期的氧化速率常数kD=3.61108exp（（
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