IBM展示基于极薄SOI衬底的22nm技术

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IBM研究人员开发出了基于极薄SOI(ETSOI)的全耗尽CMOS技术,面向22nm及以下节点。在IEDM会议上,IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD—ETSOI工艺已获得了25nm栅长,非常适合于低功耗应用。除了场效应管,IBM的工程师还在极薄SOI衬底上制成了电感、电容等用于制造SOC的器件。
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