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研究了ＭＥＳＦＥＴ的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
【摘 要】
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研究了ＭＥＳＦＥＴ的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2000年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金!(批准号:69676003)
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