【摘 要】
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中科院物理所采用化学气相沉积法研制成功了N型氮化硼半导体纳米管。氮化硼具有优异的物理性质和良好的化学惰性，是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的
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中科院物理所采用化学气相沉积法研制成功了N型氮化硼半导体纳米管。氮化硼具有优异的物理性质和良好的化学惰性，是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同，氮化硼纳米管通常表现出稳定一致的电学特性。而实现氮化硼纳米管的掺杂，诱导其半导体特性，是实现该材料大规模应用的关键。
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