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采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布．通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟，研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响．确认了改善器件自加热退化的有效途径，同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制．
多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟
【摘 要】
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采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布．通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟，研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长
【机 构】
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苏州大学微电子学系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2008年5期
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