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研究了MOCVI(Metal Organic Chemical Vapor Infiltration)方法制备Nextel720/SiO2复合材料的工艺理论基础，分析了载气流量、先驱体TEOS(正硅酸乙酯)温度、沉积温度和氧气浓度对氧化硅基体沉积速率和Nextd720/SiO2复合材料显微结构的影响。结果表明，TEOS 60℃，O2流量30ml·min-1，载气流量400ml·min-1，沉积温度600℃为复合材料最佳制备条件。