【摘 要】
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对掺锡三氧化铟（Sn－dopedIn2O3，简称ITO）薄膜光学特性进行了研究结果表明，该薄膜在可见光区具有高的透射率；低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大，表现出
【机 构】
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中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
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对掺锡三氧化铟（Sn－dopedIn2O3，简称ITO）薄膜光学特性进行了研究结果表明，该薄膜在可见光区具有高的透射率；低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大，表现出类金属性质，ITO薄膜的电磁本构特性参数光学折射率n和消光系数k在450－800nm区间的色散很弱，基于对薄膜光学吸收边附近吸收系数的线性拟合表明，薄膜在K＝0处价带至导带的跃迁是禁戒跃迁。
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