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我们利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在ＧａＡｓ（００１）衬底上生长１．８个原子层的ＩｎＡｓ形成了纳米尺寸的ＩｎＡｓ量子点，对ＩｎＡｓ量子点进行了原了显微镜（ＡＦＭ）测量，得到了量子点的离度和横向尺寸的统计分布以及量子点的测量形貌特征，并且测量结果利用简单的模型进行了误差的分析。
InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析
【摘 要】
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我们利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在ＧａＡｓ（００１）衬底上生长１．８个原子层的ＩｎＡｓ形成了纳米尺寸的ＩｎＡｓ量子点，对ＩｎＡｓ量子点进行了原了显微镜（ＡＦＭ）测量，得到了量子点的离度和横向尺寸的统计分布以及量子点的测量形貌特征，并且
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院化学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年8期
【基金项目】
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国家自然科学基金,国家“863”高技术计划新材料领域项目
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