High wall-plug efficiency 808-nm laser diodes with a power up to 30.1 W

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mllx03

【摘要】

：

A very highly efficient InGaAlAs/AlGaAs quantum-well structure was designed for 808 nm emission,and laser diode chips 390-μm-wide aperture and 2-mm-long cavity

【作者】

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Zhanqiang Ren Qingmin Li Bo Li

【机构】

：

Xi’anLumcoreOptoelectronicsTechnologiesCo.

【出处】

：

半导体学报:英文版

【发表日期】

：

2020年3期

【关键词】

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HIGH POWER semiconductor LASERS HIGH wall-plug EFFICIENCY COMD

【基金项目】

：

This work was supported by the Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province of China(No.2018GY-005,No.2017GY-065,No.2017KJXX-72).

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A very highly efficient InGaAlAs/AlGaAs quantum-well structure was designed for 808 nm emission,and laser diode chips 390-μm-wide aperture and 2-mm-long cavity length were fabricated.Special pretreatment and passivation for the chip facets were performed

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