【摘 要】
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XPS分析表明,用直流溅射法制备的掺钯薄膜气敏元件,钯的溅射率比锡高,在薄膜中钯的含量高于靶中的含量、和纯SnO_2薄膜相比,此元件对还原性气体有很高的灵敏度,尤其对H_2和CH
【机 构】
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中国科技大学,中国科技大学,中国科技大学,中国科技大学
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XPS分析表明,用直流溅射法制备的掺钯薄膜气敏元件,钯的溅射率比锡高,在薄膜中钯的含量高于靶中的含量、和纯SnO_2薄膜相比,此元件对还原性气体有很高的灵敏度,尤其对H_2和CH_4.对于该元件的气敏机理也作了初步探讨.
XPS analysis shows that the Pd-doped gas sensor prepared by direct current sputtering has a higher sputtering rate than that of tin, and the content of palladium in the film is higher than that of the target. Compared with the pure SnO 2 thin film, Reducing gas has high sensitivity, especially for H_2 and CH_4. The gas sensing mechanism of this element is also discussed.
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