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基于集团模型电荷自洽的EHT(Extended Hückel Theory)方法对K在石墨(0001)表面吸附态进行了优化计算。在3种不同的覆盖度(Θ)下，对K—石墨系统的电荷转移量△Q、吸附能△E、态密度PDOS和TDOS、Mulliken集居数和成键性质进行了比较。认同K／石墨吸附系统是石墨插层化合物(GIC)的雏型。并用LMTO方法对KCg完成电子结构的第一性原理研究。得到与EHT完全一致的结果：K4s-Cσ杂化态主要位于低能区域远离费米能级，构成反键轨道，其电子转移到费米能级附近K3d-