【摘 要】
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给出了横向高压器件LDMOS、LIGBT以及具有阳极短路结构的LIGBT的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线,并对这三种器件的结构和性能进行了较系统的分析与对比。
The simulation curves of
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给出了横向高压器件LDMOS、LIGBT以及具有阳极短路结构的LIGBT的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线,并对这三种器件的结构和性能进行了较系统的分析与对比。
The simulation curves of output characteristics, switching characteristics and withstand voltage characteristics of LDMOS, LIGBT and LIGBT with anode short circuit are given. The structure and performance of the three devices are systematically analyzed and compared.
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