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以铸态Ti-48Al-2Cr-2Nb(at.%)合金的γ片层生长规律为研究对象,将试样在α单相区固溶处理后,冷却至γ单相区内并淬火,从而获得具有γ片层初始生长状态的显微组织。通过SEM-EDS和EBSD等方法分析了γ片层不同生长位置处的晶体学特征、与基体的成分差异。结果表明:γ片层的生成需要在固态阶段进行结构准备和成分准备,因而需要非常大的过冷度;γ片层沿长度方向的生长速度要远远大于其宽度方向的生长速度。通过研究生长过程不同位置处的显微组织发现,γ片层在长度方向与宽度方向存在两种不同生长方式。