光电探测器薄膜生长条件及机理分析

来源 :北京信息科技大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:a574150767
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将苝四甲酸二酐(3,4,9,10-perlenetetracrboxylic dianhydride,PTCDA)真空蒸发到无机半导体p-Si衬底上,研制的p-Si/PTCDA异质结光电探测器,对光照非常敏感,是一种响应度很高的宽带光电子元器件。讨论分析了不同的衬底制备条件制备p-Si/PTCDA异质结薄膜的情况,实验结果表明,制备过程中细微的环境变化,显著影响了器件质量,通过分析成膜质量与器件内部微观机制、能带结构、载流子输运之间的关系,确定制备异质结有机薄膜的硅晶面选择,以及衬底的温度最佳的选择范围。
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