多孔硅及其分形特性研究

来源 :华中理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qwer96669

【摘要】

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利用阳极氧化技术制备了多种多孔硅（ＰＳ）样品，测出其结构参数，并摄得相应的ＳＥＭ微观形貌图片．针对多孔硅的结构特点，确立相应的离散分形布朗随机增量（ＤＦＢＩＲ）场模型，应用图像处理方法，求出不同ＰＳ微观图

【作者】

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刘刚介晓瑞

【机构】

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固体电子学系

【出处】

：

华中理工大学学报

【发表日期】

：

1996年6期

【关键词】

：

多孔硅分形特性 DFBIR porous silicon fractal characteristic DFBIR model

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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利用阳极氧化技术制备了多种多孔硅（ＰＳ）样品，测出其结构参数，并摄得相应的ＳＥＭ微观形貌图片．针对多孔硅的结构特点，确立相应的离散分形布朗随机增量（ＤＦＢＩＲ）场模型，应用图像处理方法，求出不同ＰＳ微观图像的分形参数．发现了ＰＳ结构参数和分形参数的内在联系与规律性，为ＰＳ的定量化研究提出了新的方法

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