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建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型,利用该模型,分别模拟计算了单结多晶硅薄膜电池、a-Si/poly-Si双结电池、a-Si/poly-Si/poly-Si三结电池,并对结果进行了讨论。结果表明实际可行的多晶硅电池应是具有陷光结构的a-Si/poly-Si/poly-Si三结叠层电池,其子电池厚度为0.23/0.95/3μm,最高效率的22.74%。