【摘 要】
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研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半
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研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c- Ga N膜的暗态电流和光电流的变化不同于 h- Ga N膜的腐蚀电流的变化规律 .对引起上述差异的原因进行了简单的讨论 .
The light-assisted wet etching of a cubic GaN (c-GaN) epitaxial layer grown on a GaAs (001) substrate by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) was studied and compared with that grown on sapphire 0 0 0 1) light-assisted wet etching of the hexagonal Ga N (h-Ga N) epitaxial layer on the substrate is compared. It is found that the dark current and photocurrent of the c- - Ga N film corrosion current changes in the cause of the above differences are briefly discussed.
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