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爱特梅尔公司 (Atmel) 宣布业界首款能够在1.8V电压下运作的8Mb Serial Flash 器件 AT25DF081，经已准备投产。全新的AT25DF081具有1.65V～1.95V的低工作电压范围，与许多现有和即将面市的采用亚90nm工艺的ASIC和处理器/控制器相同的工作电压，允许系统设计人员最终创建出使用单一电源电压为系统中所有元件供电的应用，并可显著降低成本。不同于那些经筛选在较低电压下工作而使到性能降低的器件，AT25DF081专门针对1.8V电压而设计，能够让器件保持与3V电压同级产品一样的性能水平。
爱特梅尔根据客户的直接及特定需求开发出AT25DF081产品；这些客户是在电池供电的便携消费产品如个人媒体播放器 (PMP) 和智能手机中，使用有关器件来存储程序代码和数据。AT25DF081解决了选择使用Serial Flash进行便携设计的主要问题。首先，由于AT25DF081用作启动和代码映射闪存，为了使应用的上电启动时间尽可能短，以满足客户对瞬间启动 (instant-on) 的期望，从Serial Flash读取数据的速度至关重要。AT25DF081采用66MHz工作频率来解决这个问题，可在非常短的时间内 (130ms) 完成全部内存内容的映射。
AT25DF081的1.8V电压运作能力能解决困扰便携设计的其它常见问题。由于整个系统可在统一的1.8V电压下运作，因此可对系统设计进行全面优化，以达致最低的功耗和最长的电池寿命。通过简化嵌入式电源电路、省去对附加LDO (低压降稳压器) 及相关的无源元件的需求 (这些无源元件是使用3V Serial Flash 所需的)，便能节省宝贵的板卡空间、减轻重量并显著降低系统成本。此外，由于AT25DF081可在与ASIC或处理器/控制器相同的电压范围内工作，因而无需在控制和数据线路上采用电平转换器 (level shifter)，使到成本得以进一步降低。
AT25DF081的样品现已提供，并可投入批量生产。AT25DF081备有三种不同的封装选项，包括8-lead 150-mil 宽的“narrow body”SOIC封装；8-contact 5mm x 6mm x 0.6mm Ultra Thin DFN (超薄DFN) 封装；以及0.4mm Thin 11-ball dBGA (薄型超小型锡球 dBGGA封装，WLCSP)。
爱特梅尔根据客户的直接及特定需求开发出AT25DF081产品；这些客户是在电池供电的便携消费产品如个人媒体播放器 (PMP) 和智能手机中，使用有关器件来存储程序代码和数据。AT25DF081解决了选择使用Serial Flash进行便携设计的主要问题。首先，由于AT25DF081用作启动和代码映射闪存，为了使应用的上电启动时间尽可能短，以满足客户对瞬间启动 (instant-on) 的期望，从Serial Flash读取数据的速度至关重要。AT25DF081采用66MHz工作频率来解决这个问题，可在非常短的时间内 (130ms) 完成全部内存内容的映射。
AT25DF081的1.8V电压运作能力能解决困扰便携设计的其它常见问题。由于整个系统可在统一的1.8V电压下运作，因此可对系统设计进行全面优化，以达致最低的功耗和最长的电池寿命。通过简化嵌入式电源电路、省去对附加LDO (低压降稳压器) 及相关的无源元件的需求 (这些无源元件是使用3V Serial Flash 所需的)，便能节省宝贵的板卡空间、减轻重量并显著降低系统成本。此外，由于AT25DF081可在与ASIC或处理器/控制器相同的电压范围内工作，因而无需在控制和数据线路上采用电平转换器 (level shifter)，使到成本得以进一步降低。
AT25DF081的样品现已提供，并可投入批量生产。AT25DF081备有三种不同的封装选项，包括8-lead 150-mil 宽的“narrow body”SOIC封装；8-contact 5mm x 6mm x 0.6mm Ultra Thin DFN (超薄DFN) 封装；以及0.4mm Thin 11-ball dBGA (薄型超小型锡球 dBGGA封装，WLCSP)。