氨络合物体系中杂质Zn2+对电沉积镍的影响

来源 :中国有色金属学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cy58452
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通过霍尔槽试验研究氨络合物体系中杂质Zn2+对镍电沉积的影响,采用电化学工作站测试不同Zn2+浓度时的循环伏安曲线、稳态极化曲线及电流时间暂态曲线。结果表明:杂质Zn2+的含量为0.1 g/L时,在小于2.78 A/dm的电流密度范围内可正常沉积出金属镍;杂质Zn2+含量大于0.5 g/L时,在较大的电流密度范围内均无法正常沉积出金属镍;过电位小于640 mV时,Zn2+的存在不影响阴极反应的传递系数,且不改变阴极反应机理;当过电位大于640 mV,且杂质Zn2+的浓度大于0.5 g/L时,阴极反应的传递
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