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<正> 据报导,日本富士通研究所采用SiMOSFET研制了1.64千兆赫1/2分频器(主从型触发电路).由N-MOS结构制成的这一器件,其阶频率首次超过了1千兆赫.贯常的器件采用了硅表面的反型沟道,而这一器件则采用了埋沟型MOS结构.在器件上流过的电流通过整个本体硅.因此,电子迁移率变大,g_m也变大,于是工作速度变快.