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光电子在卤化银材料潜影形成过程中发挥着重要的作用,光电子衰减行为在很大程度上决定于卤化银的晶体结构.采用光学与微波双共振技术,测量了自由光电子和浅俘获光电子的衰减谱,得到了卤化银中电子陷阱的密度和深度分布.以自由光电子寿命为纽带,通过分析掺杂卤化银晶体中电子陷阱的分布情况,可以确定浅电子陷阱掺杂剂的最佳掺杂浓度.