【摘 要】
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讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响，并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中，远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响。分析了矩形版图结构
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讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响，并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中，远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响。分析了矩形版图结构的LDMOS器件中，远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响。运用RESURF技术对于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化。研制出耐压170V的nLDMOSFET。并通过试验结果证明了分析的正确性。
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