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本文利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中电场畴的形成机制,对于第一个电流类平台区域,我们观察到两种级联共振隧穿过程,即当p≤2kbar时,高场畴为Г-Г级联共振隧穿过程,而当p〉2kbar时,高场畴为Г-X级联共振隧穿过程,对于第二个电流类平台区域,高场畴常压下为Г-X级联共振隧穿。