【摘 要】
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NAND闪存以其高存储密度、高速、低功耗等优点被广泛应用于数据存储。三维堆叠闪存技术的出现和多值存储技术的发展进一步提高了密度,降低了存储成本,同时也带来了更加严重的可靠性问题。闪存主控厂商一直采用更强大的纠错码(ECC),如BCH和LDPC码来对闪存中的数据错误进行纠正。但当NAND闪存中的错误数超出ECC纠错能力时,错误将无法被纠正,因此研究人员提出了多种基于NAND闪存的错误缓解技术作为ECC的补充方案。本文介绍了NAND闪存的工作原理和错误模式,对最新的错误缓解技术进行综述,为设计更加可靠的存储解
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学
【基金项目】
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国家科技重大专项(2017X02301006-001)。
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NAND闪存以其高存储密度、高速、低功耗等优点被广泛应用于数据存储。三维堆叠闪存技术的出现和多值存储技术的发展进一步提高了密度,降低了存储成本,同时也带来了更加严重的可靠性问题。闪存主控厂商一直采用更强大的纠错码(ECC),如BCH和LDPC码来对闪存中的数据错误进行纠正。但当NAND闪存中的错误数超出ECC纠错能力时,错误将无法被纠正,因此研究人员提出了多种基于NAND闪存的错误缓解技术作为ECC的补充方案。本文介绍了NAND闪存的工作原理和错误模式,对最新的错误缓解技术进行综述,为设计更加可靠的存储解
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