Electron Mobility in Tris（8—Hydroxyquinolinolato）Aluminum Thin Film Based on Silicium^①②

来源 :半导体光子学与技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hwj67712233

【摘要】

：

We have measured the mobilities of electrons in thin,vapor-deposited films of tris(8-hydroxyquinolinolato)aluminum(Alq3)based on silicium using a time-of-flight

【作者】

：

CHENBaijun ZHANGTieqiao 等

【机构】

：

StateKeyLab.onIntegratedOptoelectronics,Depart.ofPhysics

【出处】

：

半导体光子学与技术：英文版

【发表日期】

：

1997年2期

【关键词】

：

电子迁移率有机半导体铝薄片

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We have measured the mobilities of electrons in thin,vapor-deposited films of tris(8-hydroxyquinolinolato)aluminum(Alq3)based on silicium using a time-of-flight(TOF)technique.The drift of electron mobility is strongly electric field and temperature depend

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