一种无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liang_yanzhi
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提出一种输出低于1V的、无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源(BGR).该电路适用于片上电源转换器.用HJTC 0.18μm CMOS工艺设计并流片实现了该带隙基准源,芯片面积(不包括pad和静电保护电路)为0.031mm2.测试结果表明,采用前调制器结构,带隙基准源电路的输出在100Hz与1kHz处分别获得了-70与-62dB的高电源抑制比.电路输出一个0.5582V的稳定参考电压,当温度在0~85℃范围内变化时,输出电压的变化仅为1.5mV.电源电压VDD在2.4~4V范围内变化时,带隙基准输出电压
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