【摘 要】
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在分析传统欠压锁存电路（UVLO：Under voltage lockout）工作原理的基础上,利用VIS 0.4μm BCD工艺设计一种具有防误翻转功能的高精度欠压锁存电路。该电路由3部分组成,以带隙比较
【机 构】
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西北大学现代物理研究所,西安邮电大学电子工程学院
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在分析传统欠压锁存电路（UVLO：Under voltage lockout）工作原理的基础上,利用VIS 0.4μm BCD工艺设计一种具有防误翻转功能的高精度欠压锁存电路。该电路由3部分组成,以带隙比较器为核心,引入具有迟滞特性的防误翻转电路以保证欠压锁存信号能安全可靠地输出,并通过调整带隙基准的温度特性保证欠压锁存阈值精度,最后经过放大输出电路放大后,输出稳定的欠压锁存信号。采用Cadence软件对所设计的电路进行仿真。研究结果表明：在-40~125℃范围内欠压锁存阈值偏差最大为100 m V,阈值
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