【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）、透
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（90301002）,国家自然科学基金重大研究计划资助项目（90201025）
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采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）详细分析了GaN纳米线的结构和形貌。结果表明：采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,其纳米线的直径大约在50-100nm之间,纳米线的长约几个微米。室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于364.4nm的很强的紫外发光峰。最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制。
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