【摘 要】
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ＳＩ＾＋注入的热生长ＳｉＯ２，未退火及１０００℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在４７０ｎｍ的蓝光带，其光致发光激发谱主要为一位于２５０ｎｍ的窄峰，且谱形不信赖于退火条件，光电子能谱显示样品注入层为比较均匀的ＳｉＯｘ；１０００℃以上
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ＳＩ＾＋注入的热生长ＳｉＯ２，未退火及１０００℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在４７０ｎｍ的蓝光带，其光致发光激发谱主要为一位于２５０ｎｍ的窄峰，且谱形不信赖于退火条件，光电子能谱显示样品注入层为比较均匀的ＳｉＯｘ；１０００℃以上退火样品的发发光谱为峰值在７３０ｎｍ的红光带，其激光发谱有一个２３０ｎｍ的窄，同时在５００ｎｍ附近还有一随退火处理不断红移和增强的宽带，光电子能谱表明退火使样品注入层分离
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