【摘 要】
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SI^+注入的热生长SiO2,未退火及1000℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在470nm的蓝光带,其光致发光激发谱主要为一位于250nm的窄峰,且谱形不信赖于退火条件,光电子能谱显示样品注入层为比较均匀的SiOx;1000℃以上
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SI^+注入的热生长SiO2,未退火及1000℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在470nm的蓝光带,其光致发光激发谱主要为一位于250nm的窄峰,且谱形不信赖于退火条件,光电子能谱显示样品注入层为比较均匀的SiOx;1000℃以上退火样品的发发光谱为峰值在730nm的红光带,其激光发谱有一个230nm的窄,同时在500nm附近还有一随退火处理不断红移和增强的宽带,光电子能谱表明退火使样品注入层分离
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