【摘 要】
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采用溶胶-凝胶法制备了掺杂摩尔分数为5%~20%的Al掺杂ZnO(AZO)高电阻薄膜,采用正方形电阻法表征了薄膜的方块电阻,采用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜形貌进行了表征,采用Nano Me
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.11404048),中央高校基本科研业务费(No.3132016349)
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采用溶胶-凝胶法制备了掺杂摩尔分数为5%~20%的Al掺杂ZnO(AZO)高电阻薄膜,采用正方形电阻法表征了薄膜的方块电阻,采用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜形貌进行了表征,采用Nano Measurer 1.2软件测量了薄膜晶粒的平均粒径,采用分光光度计表征了薄膜的光谱透过率。当Al掺杂摩尔分数为5%~20%时,方块电阻在2~405 MΩ/□之间逐渐增大,晶粒尺寸在24.35~17.53 nm之间逐渐减小,可见光透过率可达80%左右。制备了不同Al掺杂摩尔分数的AZO高电阻层的模式控制型液晶透镜并研究了
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