光子晶体的能态密度及带隙特性

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基于平面波展开法数值模拟了硅、锗、磷化铝和氮化镓三代半导体材料构成三角晶格光子晶体的带隙特性,并且验证了文献[3]中这几种材料构成光子晶体能态密度的分布,两者数据吻合较好,研究结果为光子晶体器件的构造提供理论依据。 Based on the plane wave expansion method, the bandgap characteristics of the triangular lattice photonic crystals formed by the three generations of semiconductors of silicon, germanium, aluminum phosphide and gallium nitride are numerically simulated, and the energy density of these materials in photonic crystal [3] The data agree well with each other. The research results provide a theoretical basis for the structure of photonic crystal devices.
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