【摘 要】
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用￣（２３９）ｐｕα源和４０与７０ＭｅＶ的Ｏ和Ｃ离子在Ａｕ靶上的散射束对二维位置灵敏硅探测器的性能进行测试。结果表明：在这种测试条件下，在计算位置的公式中用能量信号代替４个位置信号之和可获得更好的位置分辨
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用￣（２３９）ｐｕα源和４０与７０ＭｅＶ的Ｏ和Ｃ离子在Ａｕ靶上的散射束对二维位置灵敏硅探测器的性能进行测试。结果表明：在这种测试条件下，在计算位置的公式中用能量信号代替４个位置信号之和可获得更好的位置分辨；主放大器的成形时间对探测器的位置分辨有较大的影响。
The performance of a two-dimensional position-sensitive silicon detector was tested using a scattered beam of ~ (239) pu α source and 40 and 70 MeV of O and C ions on an Au target. The results show that, in this test condition, the energy position signal can be replaced by the energy signal in the formula of position calculation to get a better position resolution. The shaping time of the main amplifier has a great influence on the position resolution of the detector .
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