离子注入聚醚砜薄膜的介电频谱分析

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong464

【摘要】

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离子注入纯聚醚砜(PES)薄膜的介电损耗在0～10MHz内小于0.062,没有松驰特性,这说明用离子注入在纯P E S膜上制作元件和连线时,导电层与绝缘层复合介质在很宽的频率范围内(0～10MH

【作者】

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岳喜成

【机构】

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宝鸡文理学院物理系

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2005年5期

【关键词】

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离子注入聚醚砜介电频谱表面电导率德拜方程 ion implantation polyether sulfone(PES) dielectric fr

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离子注入纯聚醚砜(PES)薄膜的介电损耗在0～10MHz内小于0.062,没有松驰特性,这说明用离子注入在纯P E S膜上制作元件和连线时,导电层与绝缘层复合介质在很宽的频率范围内(0～10MHz)没有松弛特性,即连线和连线之间及连线和基底之间没有松弛特性,纯PES是用离子注入法制作布线的理想材料.

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