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采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo系列非晶垂直磁化膜，研究了溅射工艺对SmTbFeCo薄膜性能的影响。结果表明：溅射气压为0．5Pa、溅射功率为75W、厚度在100nm条件下所溅射形成的SmTbFeCo薄膜磁性最优。
SmTbFeCo薄膜的制备及磁学性能研究
【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo系列非晶垂直磁化膜，研究了溅射工艺对SmTbFeCo薄膜性能的影响。结果表明：溅射气压为0．5Pa、溅射功率为75W、厚度在100nm条件下
【机 构】
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武汉科技大学理学院,华中师范大学
【出 处】
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信息记录材料
【发表日期】
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2010年1期
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