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本文分别采用磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法两种方式,对高价态差元素V掺杂ZnO薄膜进行研究.实验研究结果表明：V的掺入并未改变Zn O的生长方式,所制备的薄膜都呈（002）择优生长;随着衬底温度增加,VZO薄膜的结晶质量逐步改善,当衬底温度超过280？C时薄膜的结晶质量恶化;在280？C时获得的VZO薄膜电阻率最低3.8×10^-3Ω·m,500—2000nm平均透过率高于85%.理论模拟结果表明：V以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中,费米能级进入导带,材料表现出